หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบพลวัต

หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบพลวัต (อังกฤษ: Dynamic random-access memory, DRAM) หรือ ดีแรม เป็นหน่วยความจำชั่วคราวเข้าถึงโดยสุ่ม (หรือ แรม) โดยเก็บข้อมูลแต่ละบิตในแต่ละตัวเก็บประจุซึ่งอยู่ภายในแผงวงจรรวมของหน่วยความจำ การทำงานอาศัยการเก็บประจุและการเสียประจุของแต่ละตัวเก็บประจุซึ่งจะใช้แทนค่า 0 และ 1 ของแต่ละบิตได้ แต่เมื่อหน่วยความจำมีการเสียประจุออกจึงทำให้ข้อมูลที่เก็บไว้นั้นอันตรธานหายไปด้วย ดังนั้นการใช้ดีแรมจึงต้องมีการทวนความจำให้กับดีแรมอย่างสม่ำเสมอตราบเท่าที่ยังต้องการให้มันเก็บข้อมูลได้อยู่ จึงทำให้เรียกแรมชนิดนี้ว่าพลวัต (ซึ่งต่างจากเอสแรม) และทำให้ดีแรมถือเป็นหน่วยความจำชั่วคราวด้วย

ดีแรมยังถูกใช้เป็นหน่วยความจำหลักในระบบคอมพิวเตอร์ เช่น คอมพิวเตอร์ตั้งโต๊ะ, โน้ตบุ๊ค และสมาร์ทโฟน กล่าวคือคำว่า "แรม" ที่นิยมเรียกกันนั้นก็เป็นแรมชนิด ดีแรม นั่นเอง (เป็นประเภท DDR SDRAM)

จุดเด่นอย่างหนึ่งของดีแรมก็คือความง่ายของโครงสร้าง กล่าวคือมีเพียงทรานซิสเตอร์หนึ่งตัวประกอบกับตัวเก็บประจุหนึ่งตัวก็เพียงต่อการเก็บข้อมูลหนึ่งบิตแล้ว ต่างกับหน่วยความจำอย่างเอสแรมที่อาจะต้องใช้ 4-6 ทรานซิสเตอร์เพื่อเก็บข้อมูลหนึ่งบิตเท่ากัน ความง่ายนี่เองทำให้ดีแรมมีความจุต่อพื้นที่สูงกว่าเอสแรม และได้รับความนิยมมากกว่า